HMDS烘箱原理，2-12寸晶圓預(yù)處理烘箱的原理：

  JS-HMDS烘箱箱通過(guò)對(duì)烘箱 HMDS 預(yù)處理過(guò)程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)的編輯，可以在硅片、基片表面均勻涂布一層 HMDS，降低了 HMDS 處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量， 提高光刻膠與硅片的黏附性。

HMDS烘箱原理，2-12寸晶圓預(yù)處理烘箱的一般工作流程：

    首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_(kāi)真空泵抽真空，待腔內(nèi)真牢度達(dá)到某 一高真空度后，開(kāi)始充人氮?dú)?，充到達(dá)到某低真空度后，冉次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^(guò)程，到達(dá)設(shè)定的充 入氮?dú)獯螖?shù)后，開(kāi)始保持一段時(shí)間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開(kāi)始抽真空，充入 HMDS氣體，在到達(dá)設(shè)定時(shí)間后，停止充入 HMDS 藥液，進(jìn)入保持階段，使硅片充分與 HMDS 反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保 持時(shí)間后，再次開(kāi)始抽真空。充入氮?dú)猓瓿烧麄€(gè)作業(yè)過(guò)程。HMDS 與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖：首先加熱到 100℃ -200℃，去除硅片表面的水分，然后 HMDS 與表面的 OH 一反應(yīng)，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使 極性表面變成非極性表面。整個(gè)反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。

尾氣排放等：多余的 HMDS 蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到廢氣收集管道。在無(wú)廢氣收集 管道時(shí)需做專門處理。

⑴ 產(chǎn)品出廠前都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試，一般不要進(jìn)行修正，如使用時(shí)的環(huán)境惡劣，環(huán)境溫度超出適宜范圍，會(huì)引 起溫度顯示值與箱內(nèi)實(shí)際溫度誤差，如超出技術(shù)指標(biāo)范圍的，可以修正，具體步驟參照溫度控制器操作說(shuō)明按所需進(jìn)行修正。

⑵ 儀器在正常工作狀態(tài)下，如打開(kāi)箱門時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，關(guān)上箱門后暫時(shí)箱內(nèi)溫度有些變動(dòng)，這是正?，F(xiàn)象。

的用途

在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻 的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥 基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì) 侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕 容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將 HMDS 涂到硅片 表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。