HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖:首先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。
HMDS真空箱,HMDS系統(tǒng)真空烘箱技術(shù)參數(shù): 電源電壓:AC 220V±10%/50Hz±2% 輸入功率:2400W 控溫范圍:室溫+10℃-250℃ 溫度分辨率:0.1℃ 溫度波動(dòng)度:±0.5℃ 達(dá)到真空度:133Pa 容積:90L 工作室尺寸(mm):450*450*450 HMDS真空箱,HMDS系統(tǒng)真空烘箱的一般工作流程: 首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序?yàn)椋捍蜷_(kāi)真空泵抽真空,待腔內(nèi)真牢度達(dá)到某一高真空度后,開(kāi)始充人氮?dú)?,充到達(dá)到某低真空度后,冉次進(jìn)行抽真空、充入氮?dú)獾倪^(guò)程,到達(dá)設(shè)定的充入氮?dú)獯螖?shù)后,開(kāi)始保持一段時(shí)間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開(kāi)始抽真空,充入HMDS氣體,在到達(dá)設(shè)定時(shí)間后,停止充入HMDS藥液,進(jìn)入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng)。當(dāng)達(dá)到設(shè)定的保持時(shí)間后,再次開(kāi)始抽真空。充入氮?dú)?,完成整個(gè)作業(yè)過(guò)程。HMDS與硅片反應(yīng)機(jī)理如圖:首先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個(gè)反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應(yīng)。 尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到廢氣收集管道。在無(wú)廢氣收集管道時(shí)需做專(zhuān)門(mén)處理。